La doar 3 ani de la prezentarea primului chip de memorie FeRAM de 64Mb impreuna cu NEC, Toshiba anunta oficial ca a produs primul prototip FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) cu o capacitate de 128Mb si o viteza maxima de citire/scriere de 1.6Gbps.

Prezentat in premiera la International Solid-State Circuits Conference 2009 in San Francisco, chip-ul fabricat pe 130nm face posibila folosirea unei noi arhitecturi ce limiteaza degradarea semnalului, detine o interfata DDR2, este alimentat la 1,8V si executa un ciclu la fiecare 83 nano-secunde.

Probabil ca aceste specificatii nu par foarte spectaculoase dar, marele avantaj ale memoriilor FeRAM este acela ca acestea pot rula la frecvente DRAM si, exact ca si memoriile NAND, au abilitatea de a retine date chiar si in lipsa alimentarii. Toshiba a promis ca va continua dezvoltarea chip-urilor FeRAM, iar ca si tinta principala sunt  telefoanele mobile, PC-urile portabile si discurile SSD.

Sursa: TechConnect

---

Adauga acest articol in reteaua ta de socializare favorita: